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离子注入后不退火行不行？

离子注入后都会退火，退火的作用是什么？不退火行不行？

离子注入对硅片造成哪些影响？

离子注入时，高能的杂质离子加速撞击硅片表面，将其动能转化为热能和位移能，引起硅原子的迁移和重排，破坏了硅的晶格结构，会产生位错、空位等缺陷。

另外，杂质离子被注入进入硅中后，这些离子大多停留在晶格间隙中，并不能很精准地进入到对应的晶格点阵位置，那么就很难起到改善硅导电性的掺杂作用。

离子注入后退火的作用？

离子注入后退火是必不可少的步骤，退火的作用有：

1，修复：退火工艺通过高温，使硅原子获得足够的能量进行扩散和迁移，重新排列成有序的晶格结构。原子在退火过程中逐渐移动到能量最低的位置，位错、空位等逐渐减少直至消失，从而减少晶格中的缺陷和应力。

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2，激活：退火使这些掺杂离子（As，P，B）在硅晶格中扩散，进入晶格点阵位置，与硅原子形成共价键，形成稳定的掺杂原子。掺杂浓度分布均匀，电学活性提高，实现所需的导电特性。

文章来源：Tom聊芯片智造

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