半导体世界三次乾坤大挪移

我们常说半导体发展的历史里，曾发生过二次全球大转移，目前正在进行的就是这第三次。那么，究竟是怎么个转移？为什么要转移？

半导体产业的开端

首先，以1947年在贝尔实验室诞生的第一个晶体管为标志。

当时美国正忙于将晶体管应用到与前苏联的“太空竞赛”之中，因为这个竞赛，又倒逼技术的进步。到1958年德州仪器研制出了第一个集成电路开始，半导体产业正式在美国浩浩荡荡的发展起来，那么美国就成为半导体产业的首发地。

之后，晶体管之父“肖克利”，带出了著名的“仙童八叛逆”。由着“八叛逆”又催生出了后来的AMD、英特尔等半导体巨头。至此，因聚集大量半导体人才和企业的美国硅谷打响名号。

第一次产业转移

第一次在 20 世纪 70 年代末，从美国转移到了日本。

上个世纪50年代，为了建立自己的联盟防线，美国决定带小弟，也就是扶持日本。从50年代中后期开始，一方面美国疯狂转移技术，另一方面日本也疯狂吸收。

这一期间，日本派遣了大量的技术人才去美国参观学习、技术引进。包括像1954年日本东京通信工业公司(索尼前身)以超低价格从美国西屋电气引进晶体管技术，生产出了索尼第一款收音机;1963年，日本NEC从仙童取得先进平面工艺Planar的技术授权，以及在上上篇文章《东京电子》里提到的日立、富士通、三菱等代理权分享。

1975年，日本电报公司(NTT)的一位高级官员访问IBM并带回让日本具有危机感的消息:IBM的下一代装有超大规模集成电路的超级计算机即将问世。加上之前1973年代的“石油危机”的后遗症，于是日本政府紧急开启超大规模集成电路项目(VLSI)的计划，在1976年3月正式启动，由政府联合日本五大巨头富士通、日立、三菱、日本电气(NEC)和东芝联合实施，投资金额高达700多亿日元。这个计划非常成功，硕果累累:包括成功实现 64k 集成电路、256k 动态存储器的开发;共取得 1200 多项专利，300 多项商业机密技术等等。

到80年代，日本东芝、日立和NEC等超级企业强势崛起，日系DRAM份额更是以近80%的垄断式市占率拿下全球第一。小弟摇身一变变成了的大小哥。美国企业的竞争力被大幅削弱美国本土龙头英特尔更是被步步逼退至放弃DRAM市场。

虽然早前美国在技术转移的时候，已经开始觉得不对劲，中间试图小幅度遏制日本半导体的发展。但是一压制就压出了个VLSL，而日本在70-80年代很好的承接住了这第一次的全球产业转移。于是美国也放弃幻想，索性开始全面制裁(1987年东芝事件)。 

第二次产业转移

第二次在 20 世纪 80 年代末，又从日本转移到了韩国和中国台湾。

在这一次全球大转移中，韩国抓住机遇，成为继美国、日本之后的世界第三个半导体产业中心。

早在60年代中期的时候，美国和日本的半导体公司，像仙童、摩托罗拉等就先后在韩国投资建厂生产内存芯片。一方提供技术、另一方提供廉价的劳动力和场地。所以当时韩国的半导体产业实际就是美国和日本半导体厂商的组装地，跟我们现在有点像。

韩国半导体其实起步算晚的，比我们都晚上10年，比美国晚20年。所以到1969年的时候，韩国政府开始出台“电子工业振兴的八年计划”，这期间，三星电子、LG与现代电子等开始承接半导体的生产业务。

8年计划结束，正巧看到隔壁的日本启动的VLSI的计划，目睹了日本大获全胜的韩国也准备来个“复制+粘贴”。

于是在1983年，韩国政府也对外发布“进军超LSI领域(DRAM)”计划。也是取得相当不错的成果：三星生产出6英寸晶圆并开发出256KDRAM和1M DRAM，并实现了DRAM的量产。同时，从80年代开始，韩国也大量进口日本最先进的制造设备通过快速吸收和积累即使，使得韩国在短时间内追上了美日半导体的先进工艺技术，并在90年代反超日本，拿下DRAM全球第一。

我国台湾的经历跟韩国类似，也是在70年代以承接半导体封装开始引进技术。1974年出台政策推波助澜，1980 年台湾第一家 IC 制造厂商联华电子成立，1987年的台积电成立。80年代起、技术倾斜与积累、政府政策资金支持、台湾半导体的大佬们也纷纷留学回台赶上这波风口。

每个环节顺理成章，缺一不可，才造就了现在最强的世界芯片代工厂。

第三次产业转移？