SGT MOSFET

1：采用国际先进的SGT制造工艺和一流的器件设计，产品具有优异的电压稳定性和一致性，极快的开关速度，以及超低的导通损耗，导通电阻对比传统Trench MOSET优化30%以上。
2：通过特殊注入工艺和专业的深沟槽结构设计，对比同类产品具有更低的Qrr。
3：反向恢复时间更短。
4：采用优化的接触孔工艺和体区注入工艺，抗浪涌电流能力和抗雪崩击穿能力大幅提高。
5：采用优化的器件金属结构和钝化保护工艺，使产品的抗短路能力和使用寿命大幅提高，可靠性更强。

产品优势：

输入阻抗高、控制功率小、开关速度快。
较普通MOSFET更低的导通损耗和更小芯片面积。
抗雪崩击穿和浪涌电流能力较强。

应用市场：

家电市场：

扫地机器人、手持式吸尘器等。

消费类产品市场：

无线充电器、充电宝、电源适配器等。
无人机、电动车驱动等。

商&工业应用市场：

锂电动工具、逆变器、工业自动化控制等。
SMPS开关电源、通信电源、通信基站等。
小型储能设备（便携式移动电源等）、商&工业用储能系统。

汽车电子：

汽车DC、BLDC驱动。
车载无线充电器。

产品：N-Channel Split Gate MOSFET

Part Number	Data	Package	VDS (V)	ID (A)	VGS (V)	RDS(ON) @10VTyp (mΩ)	RDS(ON) @10VMax (mΩ)	VGS(th) (V)	CISS (pF)	QG (nC)	PD (W)
AES001N100T		TO-263	100	120	±20	3.3	4.2	2、3、4	6956	95	225
AES001N100Z		TO-220	100	120	±20	3.6	4.5	2、3、4	6956	95	225
AES005N095T		TO-263	95	120	±20	4.1	5.1	2、3、4	5532	72	225
AES005N095Z		TO-220	95	120	±20	4.3	5.3	2、3、4	5532	72	225
AES007N095Z		TO-220	90	80	±20	6.1	7.2	2、3、4	3475	56.6	184
AES002N080T		TO-263	80	120	±20	2.6	3.2	2、3、4	6813	91	227
AES002N080Z		TO-220	80	120	±20	2.9	3.5	2、3、4	6813	91	227
AES003N080T		TO-263	80	120	±20	2.9	3.8	2、3、4	6050	74	208
AES003N080Z		TO-220	80	120	±20	3.1	4.1	2、3、4	6050	74	208
AES004N080T		TO-263	80	120	±20	3.7	4.6	2、3、4	4241	67	189
AES004N080Z		TO-220	80	120	±20	3.9	4.9	2、3、4	4241	67	189
AES006N080T		TO-263	80	120	±20	4.6	5.3	2、3、4	4032	65.7	220
AES006N080Z		TO-220	80	120	±20	4.9	5.5	2、3、4	4032	65.7	220
AES008N080T		TO-263	80	160	±20	1.5	2	2、3、4	12553	205	223
AES008N080Z		TO-220	80	160	±20	1.6	2.2	2、3、4	12553	205	223