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  • SGT MOSFET
SGT MOSFET

SGT MOSFET

1:采用国际先进的SGT制造工艺和一流的器件设计,产品具有优异的电压稳定性和一致性,极快的开关速度,以及超低的导通损耗,导通电阻对比传统Trench MOSET优化30%以上。
2:通过特殊注入工艺和专业的深沟槽结构设计,对比同类产品具有更低的Qrr。
3:反向恢复时间更短。
4:采用优化的接触孔工艺和体区注入工艺,抗浪涌电流能力和抗雪崩击穿能力大幅提高。
5:采用优化的器件金属结构和钝化保护工艺,使产品的抗短路能力和使用寿命大幅提高,可靠性更强。

产品优势:


  • 输入阻抗高、控制功率小、开关速度快。

  • 较普通MOSFET更低的导通损耗和更小芯片面积。

  • 抗雪崩击穿和浪涌电流能力较强。


应用市场:


家电市场:

  • 扫地机器人、手持式吸尘器等。

消费类产品市场:

  • 无线充电器、充电宝、电源适配器等。

  • 无人机、电动车驱动等。

商&工业应用市场

  • 锂电动工具、逆变器、工业自动化控制等。

  • SMPS开关电源、通信电源、通信基站等。

  • 小型储能设备(便携式移动电源等)、商&工业用储能系统

汽车电子:

  • 汽车DC、BLDC驱动。

  • 车载无线充电器。


产品:N-Channel Split Gate MOSFET 


Part   Number

DataPackage

VDS

(V)

ID

(A)

VGS

(V)

RDS(ON)

@10VTyp

(mΩ)

RDS(ON)

@10VMax

(mΩ)

VGS(th)

(V)

CISS

(pF)

QG

(nC)

PD

(W)

AES001N100T

pdf.png

TO-263100120±203.34.22、3、4695695225
AES001N100Z

pdf.png

TO-220100120±203.64.52、3、4695695225
AES005N095Tpdf.pngTO-26395120±204.15.12、3、4553272225
AES005N095Zpdf.pngTO-22095120±204.35.32、3、4553272225
AES007N095Zpdf.pngTO-2209080±206.17.22、3、4347556.6184
AES002N080Tpdf.pngTO-26380120±202.63.22、3、4681391227
AES002N080Zpdf.pngTO-22080120±202.93.52、3、4681391227
AES003N080Tpdf.pngTO-26380120±202.93.82、3、4605074208
AES003N080Zpdf.pngTO-22080120±203.14.12、3、4605074208
AES004N080Tpdf.pngTO-26380120±203.74.62、3、4424167189
AES004N080Zpdf.pngTO-22080120±203.94.92、3、4424167189
AES006N080Tpdf.pngTO-26380120±204.65.32、3、4403265.7220
AES006N080Zpdf.pngTO-22080120±204.95.52、3、4403265.7220
AES008N080Tpdf.pngTO-26380160±201.522、3、412553205223
AES008N080Zpdf.pngTO-22080160±201.62.22、3、412553205223


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