光刻胶如何清洗去除？

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以常见的两种光刻胶举例：AZ5214  SU8

AZ5214：

AZ5214 光刻胶在温度高于120度烘烤后或者以AZ5214作为掩模在ICP里刻蚀时往往会发生碳化，导致用丙酮难以去除。

1、化学溶解法：可以使用丙酮直接摇床去除。（没有碳化的）

2、等离子刻蚀：可以使用ICP 氧气高功率600W去除。但高功率的氧气会损伤三五族材料，导致电阻变大。（一般是处理碳化后的AZ5214光刻胶，下面有氧化硅等保护。）

3、湿法热解搅拌去除：可以使用prs3000专门的去胶液，适合用于稍微碳化后的光刻胶，这个一般可以结合热解法一起去除，同时若芯片上面没有一些波导结构等，可以同时结合搅拌棒去除。

4、机械去除：最为简单粗暴，可以使用蓝膜直接粘掉，或者用棉花棒直接擦除，此方法适用于芯片上无任何结构，以及芯片较厚时，一般大于300微米。

最后实在不行，如果你的片子可以耐强酸强碱腐蚀的话，可以用浓硫酸双氧水等试一下。

SU8：

1、等离子体刻蚀配合湿法辅助去除：根据一项发明，利用O2/CF4混合气体进行等离子体刻蚀配合湿法可以有效地去除SU-8负性光刻胶。这种方法具有操作简单、去胶效果好、对器件无损伤的优点。

‘参考专利：CN 111045300 A等离子体刻蚀配合湿法辅助去除su-8负性光刻胶的方法’

2、使用特定的溶剂：也有一些特定的溶剂可以用于去除SU-8光刻胶。找SU8供应商可能会提供对应的显影液，或者他们可能有推荐的除胶剂。但也请注意，普通的丙酮溶液或碱可能对SU-8光刻胶不起作用。

文章来源：Lightigo