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倾斜注入主要是解决横向效应与沟道效应。
垂直注入会造成横向效应。离子注入的横向效应是指离子在注入过程中除了在垂直方向上的渗透（纵向扩散）外，还会在水平方向（横向）上发生扩散的现象。这种横向扩散是由于注入的离子在晶体中与晶体原子相互碰撞造成的，导致部分注入的离子偏离了原本直线的轨迹。横向效应会影响有效沟道长度。
离子注入角度过大，会导致大面积的阴影区，这些阴影区被光刻胶阻挡，无法被注入。
文章来源：Tom聊芯片智造
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